시장은 어떻게 성장할 것인가? 

원자층 증착(ALD) 시장의 전망은 신재생 에너지 및 의료 기술과 같은 고성장 분야로까지 확대되고 있습니다. 태양 에너지 산업에서 ALD는 고효율 박막 태양광 소재 생산에 필수적입니다. 특히, 한 주요 OLED 패널 제조업체는 캡슐화 공정에 대기 공간 ALD를 적용하여 생산량을 4배까지 증가시키는 데 성공했습니다. 자동차 산업, 특히 전기 자동차의 등장으로 ALD 시장은 또 다른 중요한 성장 동력을 제공하고 있습니다. 전기 자동차 판매 증가에 힘입어 자동차용 리튬 이온 배터리 수요는 2022년에 65% 급증하여 550GWh에 달했습니다. ALD는 초박형 보호 코팅을 통해 전극 안정성을 향상시키고 배터리 수명을 연장하는 데 중요한 역할을 합니다. 이러한 다양화는 혁신을 촉진하고 있으며, 기업들은 진화하는 산업 요구에 맞춰 고처리량 반응기와 루테늄, 몰리브덴과 같은 새로운 박막 화학 물질을 개발하고 있습니다.

원자층 증착 시장을 형성하는 주요 연구 결과

• 아시아 태평양 지역은 대만, 한국, 중국 등 주요 반도체 제조 허브를 보유하고 있어 ALD 시장에서 여전히 지배적인 위치를 차지하고 있으며, 2024년에는 41.80%의 매출 점유율을 기록할 것으로 예상됩니다.
• 북미는 연구 개발에 대한 상당한 투자와 견고한 기술 인프라에 힘입어 가장 빠르게 성장하는 지역입니다.
• 기업들은 FinFET 트랜지스터, 최신 DRAM 및 NAND 플래시 메모리 칩을 포함한 첨단 기술 생산을 지원하기 위해 ALD(원자층 증착) 설비를 적극적으로 확장하고 있습니다. 예를 들어, ACM Research, Inc.는 2024년 12월에 대량 생산이 가능한 300mm 반도체 제조용 플라즈마 강화 ALD 퍼니스 장비의 인증을 발표했는데, 이는 역동적인 시장에서 기술 발전과 설비 확장을 위한 지속적인 노력을 보여줍니다.

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시장 역학 

주요 요인: 소형 고성능 반도체 소자에 대한 수요 증가

반도체 산업의 끊임없는 소형화 추세는 원자층 증착(ALD) 시장의 주요 성장 동력입니다. 로직 및 메모리 소자가 3나노미터(nm) 이하 노드로 발전함에 따라 화학 기상 증착(CVD) 및 물리 기상 증착(PVD)과 같은 기존 증착 기술의 물리적 한계가 뚜렷하게 드러나고 있습니다. ALD는 고유한 자체 제한 표면 반응을 통해 옹스트롬 수준의 정밀도로 초박막, 핀홀 없는 박막을 증착할 수 있도록 해줍니다. 이는 FinFET 및 GAA(Gate-All-Around) FET와 같은 차세대 트랜지스터에 사용되는 복잡하고 높은 종횡비 구조를 구현하는 데 필수적인 요소입니다. 2024년에는 이러한 첨단 소자 생산을 지원하기 위해 미국 반도체 공장에만 500대 이상의 새로운 ALD 시스템이 설치될 것으로 예상됩니다. 이러한 급증세는 결함 없는 고유전율(high-k) 유전체 층과 금속 게이트에 대한 필요성과 직접적으로 관련되어 있으며, 단 하나의 원자층 편차라도 소자의 성능과 신뢰성을 저해할 수 있습니다.

인공지능, 고성능 컴퓨팅, 5G 인프라와 같은 데이터 중심 애플리케이션의 폭발적인 성장으로 인해 트랜지스터 밀도가 높고 전력 효율이 향상된 칩에 대한 수요가 더욱 증가하고 있습니다. 예를 들어, 데이터 센터와 첨단 가전제품의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM)와 3D NAND 플래시 제조에는 수백 개의 균일한 층을 탁월한 균일도로 증착하는 ALD(원자층 증착) 기술이 크게 의존합니다. 2024년에는 로직 및 메모리를 포함한 반도체 부문이 ALD 시장의 41.46%를 차지할 것으로 예상됩니다. 이 수치는 반도체 기술 발전과 ALD 기술 간의 상호 의존적인 관계를 보여줍니다. 노드가 점점 작아질수록 원자층 증착 공정의 역할이 더욱 중요해지며, 필수적인 제조 기술로서의 입지를 더욱 공고히 하고 있습니다.

추세: 민감한 기판에 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 기술의 적용이 증가하고 있습니다

플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 기술의 도입이 증가하면서 원자층 증착 시장에서 중요한 추세를 보이고 있습니다. 이는 기존의 열 원자층 증착(ALD) 방식보다 훨씬 낮은 온도에서 고품질 박막을 증착할 수 있다는 장점에 기인합니다. 이러한 저온 증착 기술은 플렉서블 전자 기기, OLED 디스플레이, 고온 공정을 견딜 수 없는 특정 첨단 반도체 구조와 같이 열에 민감한 기판 위에 소자를 제작하는 데 매우 중요합니다. PEALD 시장 규모는 2024년 8억 2천만 달러에 달할 것으로 예상되며, 이는 PEALD 기술의 중요성이 점점 커지고 있음을 보여줍니다. PEALD는 플라즈마를 이용하여 표면 반응에 필요한 에너지를 공급함으로써 열 공정의 한계를 극복하고, 밀도가 높은 산화물 박막이나 물성이 향상된 금속 등 더욱 다양한 소재를 증착할 수 있도록 합니다. 

2024년, PEALD는 여러 장점을 바탕으로 시장을 선도하는 기술로 자리매김했으며, 특히 고유전율 유전체 및 복잡한 3D 구조의 핵심층을 형성하는 데 필수적인 첨단 반도체 제조 분야에서 그 중요성이 더욱 부각되었습니다. 이 기술은 밀도 및 화학양론과 같은 박막 특성을 더욱 정밀하게 제어할 수 있게 해 주어, 기존 열 증착 방식보다 우수한 성능을 구현할 수 있습니다. 예를 들어, PEALD는 플렉서블 OLED 소자의 캡슐화 및 의료용 임플란트용 생체 적합성 코팅 제작에 중요한 역할을 합니다. 플라즈마를 활용함으로써 전력 및 가스 조성과 같은 새로운 공정 변수를 미세 조정하여 박막 특성을 최적화할 수 있으며, 이를 통해 원자층 증착(ALD) 기술의 적용 범위를 기존 열 증착 방식으로는 불가능했던 새롭고 혁신적인 분야로 확장할 수 있습니다.

문제점: 기존의 다른 증착 기술에 비해 증착 속도가 느리다

원자층 증착(ALD) 시장이 직면한 중요하고 지속적인 과제는 본질적으로 느린 증착 속도입니다. ALD 공정의 순차적이고 자기 제한적인 특성은 탁월한 정밀도와 균일성을 보장하지만, 박막 성장 속도는 일반적으로 사이클당 0.1~3옹스트롬 범위에 머무릅니다. 단일 사이클을 완료하는 데 수초에서 수분까지 소요될 수 있으므로, 불과 몇 나노미터 두께의 박막 증착은 대량 생산 환경에서 시간 소모적인 병목 현상이 될 수 있습니다. 이러한 낮은 처리량은 웨이퍼당 비용을 증가시키고 전반적인 투자 수익률에 영향을 미치는 상당한 경제적 문제를 야기합니다. 특히 최첨단 반도체 산업보다 비용에 더 민감한 산업 분야에서는 ALD가 우수한 박막 품질을 제공함에도 불구하고 화학 기상 증착(CVD)이나 스퍼터링과 같은 더 빠른 방식보다 경쟁력이 떨어지는 경우가 많습니다. 

이러한 치명적인 한계를 해결하기 위해 업계는 ALD의 근본적인 장점을 저해하지 않으면서 처리량을 높이는 것을 목표로 하는 혁신에 적극적으로 매진하고 있습니다. 핵심적인 발전 중 하나는 전구체 노출을 시간적 간격이 아닌 공간적으로 분리하는 공간 ALD(SALD) 기술의 발전입니다. 기판이 서로 다른 전구체 영역을 연속적으로 통과하면서 기존의 시간적 ALD 방식보다 수백 배 빠른 조립 라인 방식의 증착 공정이 가능해집니다. 2024년에는 공간 및 배치 시스템을 포함한 새로운 고처리량 반응기가 개발되고 있으며, 이를 통해 ALD 시장을 태양 전지 및 플렉서블 전자 장치와 같이 정밀도와 속도의 균형이 매우 중요한 대규모 산업 응용 분야에 더욱 적합하게 만들고자 합니다. 느린 증착 속도를 극복하는 것은 ALD를 대량 생산 시장에 적용하기 위한 최우선 과제입니다.

세그먼트 분석 

응용 분야별 전략: 반도체 생산에서 원자층 증착 기술을 통해 선두 자리를 유지하다

현재 반도체는 원자층 증착(ALD) 시장 매출의 41.46% 이상을 차지하고 있습니다. 원자층 증착은 더 이상 반도체 제조에서 단순한 첨단 공정 옵션이 아니라, 기초적이고 필수적인 기술입니다. 그 중요성은 무어의 법칙으로 정의되는 반도체 산업의 끊임없는 소형화 추구와 직접적으로 연결되어 있습니다. 게이트-올-어라운드(GAA) 트랜지스터나 고밀도 3D NAND와 같은 복잡한 3차원 구조로 소자 구조가 발전함에 따라, 기존의 증착 기술로는 요구되는 정밀도를 구현하기 어렵습니다. ALD의 고유한 자기 제한 반응 메커니즘은 옹스트롬 수준의 정밀도로 복잡한 형상을 완벽하게 균일하게 증착할 수 있는 유일하게 생산 현장에서 검증된 방법입니다. 시장 관계자들에게 있어 ALD는 핵심 기술입니다. ALD의 역량 없이는 3나노미터 이하 노드의 제조 로드맵을 실현할 수 없으므로, ALD 시장에 대한 투자는 최첨단 기술 경쟁에서 우위를 점하기 위한 필수 조건입니다.

원자층 증착(ALD) 기술은 반도체 제조 공정에 매우 광범위하게 통합되어 있으며, 제조 시설의 경제성과 운영 로드맵에 상당한 영향을 미치고 있습니다. ALD는 특정 공정에만 사용되는 것이 아니라 고유전율 유전체, 금속 게이트, 스페이서, 라이너, 확산 장벽 등 수십 개의 핵심 레이어에 필수적으로 적용됩니다. 이러한 광범위한 사용은 ALD 시스템, 고순도 화학 전구체 및 관련 지원 서비스에 대한 수요를 증가시켜 견고하고 지속적으로 성장하는 생태계를 조성합니다. 더욱이, 생산량 증대와 첨단 소재에 대한 요구는 ALD 분야의 지속적인 혁신을 이끌고 있습니다. 새로운 소재를 위한 새로운 ALD 공정 개발과 더욱 빠른 배치 및 공간 ALD 시스템 개발은 대량 생산의 생산성 요구에 대한 직접적인 대응입니다. 이는 ALD가 기술 발전이 전체 반도체 산업의 발전에 직접적으로 기여하는 역동적이고 필수적인 분야임을 보여줍니다.

• 2024년에 첨단 GAA 나노시트 트랜지스터 하나를 제작하려면 최소 12단계의 서로 다른 ALD 공정이 필요합니다.
• 2025년 말까지 전 세계 대규모 반도체 공장에 설치되는 300mm ALD 공정 챔버의 총 수는 6,000대를 넘어설 것으로 예상됩니다.
• 2024년 고대역폭 메모리에서는 ALD(원자층 증착) 기술을 사용하여 300mm 웨이퍼 전체에 걸쳐 3옹스트롬 미만의 균일한 두께를 갖는 확산 방지층을 실리콘 관통 비아에 증착합니다.
• 2025년까지 첨단 인터커넥트용 루테늄 금속 라이너 증착을 위한 새로운 ALD 장비는 2나노미터 두께의 필름에 대해 15마이크로옴센티미터 미만의 저항률을 입증해야 합니다.
• 선도적인 파운드리 업체가 2024년 시범 생산에 들어갈 예정인 2나노미터 공정은 웨이퍼당 총 1,000회 이상의 원자층 증착 및 식각 사이클을 포함할 것입니다.

제품별 분석: 원자층 증착 시장에서 산화알루미늄의 지배력

원자층 증착(ALD) 시장에서 산화알루미늄(Al2O3)이 차지하는 압도적인 위치는 탁월한 물성과 고도로 최적화된 비용 효율적인 증착 공정의 독보적인 조합에 기반합니다. 현재 Al2O3는 시장 점유율 33%로 가장 큰 비중을 차지하고 있습니다. 주로 트리메틸알루미늄(TMA)과 물을 전구체로 사용하는 Al2O3 ALD 공정은 매우 안정적이고 특성이 잘 규명되어 있어 공정 개발 비용을 최소화하고 제조업체의 높은 수율을 보장합니다. 이러한 예측 가능성은 이해관계자에게 매우 중요한 이점입니다. 또한 Al2O3는 우수한 절연체 특성을 보이며, 뛰어난 열 안정성을 제공하고, 탁월한 습기 및 가스 차단 기능을 갖습니다. 이러한 다재다능함 덕분에 첨단 마이크로 전자 제품의 핵심층부터 산업 현장의 보호 코팅에 이르기까지 광범위한 분야에 적용되어 업계에서 가장 널리 사용되는 소재로 자리매김했습니다.

원자층 증착(ALD) 시장에서 산화알루미늄(Al2O3)의 광범위한 적용 가능성은 시장을 지속적으로 지배하는 핵심 동력입니다. Al2O3는 단일 응용 분야에 국한되지 않고 다양한 고성장 기술 분야에서 중요한 위치를 차지하고 있습니다. 반도체 분야에서는 게이트 유전체부터 패시베이션 층까지 모든 것을 만드는 데 필수적입니다. 소비자 가전 분야에서는 플렉서블 디스플레이 및 기타 민감한 부품의 수명을 연장하는 데 중요한 캡슐화 층으로 사용됩니다. 이러한 광범위한 활용은 Al2O3 전구체 및 장비의 공급망 위험을 줄여 투자에 매력적이고 안정적인 분야로 만듭니다. 의료 기술 및 신재생 에너지와 같은 산업에서 첨단 기능을 위해 나노 스케일 코팅에 대한 의존도가 높아짐에 따라, ALD 증착 Al2O3의 검증된 성능은 Al2O3가 선호되는 소재로 남도록 보장하며, 이는 ALD 시장의 지속적인 성장을 뒷받침합니다.

• 고효율 실리콘 태양전지의 패시베이션을 위해 2024년 전 세계적으로 3억 5천만 제곱미터 이상의 실리콘 웨이퍼에 ALD Al2O3 층이 적용될 예정입니다.
• 2025년까지 주요 3D NAND 제조업체들은 전하 포획층에 사용되는 Al2O3 박막의 절연 파괴 강도가 센티미터당 8메가볼트를 초과해야 할 것입니다.
• Al2O3 ALD용 고순도 트리메틸알루미늄(TMA) 전구체의 전 세계 소비량은 2025년에 4,200톤을 넘어설 것으로 예상됩니다.
• 공간 ALD 시스템은 2024년에 분당 3나노미터를 초과하는 Al2O3 증착 속도를 달성하여 6억 개 이상의 플렉서블 OLED 디스플레이를 캡슐화하는 데 사용할 수 있게 될 것입니다.
• 2025년 고급 DRAM 커패시터의 경우, 5나노미터 두께의 ALD Al2O3 박막의 누설 전류 사양은 1볼트에서 제곱센티미터당 10^-8암페어 미만이어야 합니다.

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지역 분석 

미국 시장: 리쇼어링 야망이 전례 없는 기술 및 자본 투자를 촉진하고 있다

미국은 획기적인 산업 정책을 앞세워 원자층 증착(ALD) 시장의 선두 주자로서의 입지를 적극적으로 강화하고 있습니다. 2025년 말까지 800개 이상의 새로운 ALD 공정 챔버를 설치하는 것은 이러한 전략적 추진의 직접적인 결과이며, 핵심 반도체 생산을 미국 내로 이전하는 것을 목표로 합니다. 이러한 자본 투자는 연구 개발 투자의 급증과 맞물려 있으며, 컨소시엄들은 차세대 소재용 신규 ALD 전구체 개발에 2025년까지 2억 5천만 달러 이상을 투자할 것으로 예상됩니다. 이러한 혁신 파이프라인은 2024년에 고처리량 공간 ALD 관련 신규 특허 120건이 출원될 예정이고, EUV 펠리클 개발 전용 대학 시스템이 새롭게 구축되는 것으로 입증됩니다. 궁극적인 목표는 웨이퍼당 1,500회의 ALD/ALE 사이클이 필요한 애리조나의 대규모 반도체 공장과 같은 새로운 국내 메가팹을 육성하여 세계 최고 수준의 경쟁력을 확보하는 것입니다.

이러한 국내 제조업 부흥은 단순히 로직 칩을 넘어 원자층 증착(ALD) 시장의 고부가가치 응용 분야 전반에 걸친 광범위한 생태계로 확장되고 있습니다. 게이트 올 어라운드(GAA) 소자의 경제적 타당성을 확보하기 위해서는 ALD 공정 사이클 시간을 50초 미만으로 단축해야 하는 생산 목표가 달성되고 있습니다. 이러한 영향은 전략적 산업 전반에 걸쳐 나타나고 있으며, 미국 국방부는 50만 개의 민감 부품에 ALD 밀봉 처리를 의무화했고, 의료 산업은 2025년까지 75만 개 이상의 이식형 의료기기에 ALD 코팅을 적용할 계획입니다. 이러한 다양한 수요로 인해 고순도 금속 전구체 소비량은 2.5톤에 달할 것으로 예상되며, 첨단 패키징을 위해 연간 200만 개 이상의 웨이퍼를 처리해야 할 필요성이 대두될 것입니다. 이는 ALD가 미국의 새로운 기술 주권을 뒷받침하는 핵심 기술로서의 역할을 더욱 공고히 할 것임을 의미합니다.

유럽: 연구개발 리더십과 산업 통합을 통해 구축된 전략적 자율성

유럽은 강력한 연구 인프라와 탄탄한 산업 기반을 활용하여 원자층 증착(ALD) 시장에서 전략적 위치를 확보하고 있습니다. IMEC와 같은 연구 허브를 중심으로, IMEC는 2024년에 3,000건 이상의 ALD 실험을 진행할 예정이며, 유럽은 2나노미터 이하 노드의 공정 기술을 선도하고 있습니다. 이러한 연구 개발 리더십은 유럽 반도체법(European Chips Act)의 목표를 직접적으로 뒷받침하며, 2025년까지 최소 600대의 새로운 ALD 시스템에 대한 수요를 창출할 것으로 예상됩니다. 연구 성과를 산업으로 전환하는 데 집중하고 있으며, 자동차 부품 공급업체들이 200만 개의 ADAS 센서에 ALD 코팅 기술을 적용하고, 이탈리아에 새로운 전력 반도체 공장이 건설되어 400kg의 특수 전구체를 소비할 것으로 예상되는 것이 이를 증명합니다. 또한, 에너지 저장 분야의 ALD 연구에 집중하는 750명 이상의 연구원들이 활동하고 있어, 유럽의 ALD 생태계는 더욱 성장하고 있음을 보여줍니다.

유럽 ​​전략은 원자층 증착(ALD) 시장을 중심으로 최첨단 연구뿐만 아니라 주요 산업 분야에서 대량 생산에도 중점을 두고 있습니다. 2025년까지 지역 태양광 제조업체들은 9천만 제곱미터의 실리콘에 ALD 코팅을 적용할 예정이며, 공간 ALD 기술을 통해 4천만 제곱미터의 플렉서블 전자 장벽 필름을 생산하여 확장 가능한 생산에 대한 의지를 보여줄 것입니다. 이러한 산업적 수요에 부응하기 위해 최소 5개 주요 유럽 장비 제조업체가 2024년에 AI 통합 플랫폼을 출시하는 등 혁신을 추진하고 있습니다. 또한, 이 기술의 정밀도는 500개의 초정밀 X선 광학 장치 제작부터 120만 개의 미세유체 장치 코팅에 이르기까지 고도로 전문화된 응용 분야에도 활용되어 유럽 시장의 독창적이고 통합적인 접근 방식을 보여주고 있습니다.

아시아 태평양 지역: 대량 생산 및 최첨단 ALD 제조의 독보적인 중심지

아시아 태평양 지역은 막대한 규모의 생산 능력을 바탕으로 41.80% 이상의 시장 점유율을 차지하며 전 세계 원자층 증착(ALD) 시장의 명실상부한 강대국으로서의 위상을 유지하고 있습니다. 이 지역의 주요 메모리 제조업체들은 300개 이상의 레이어로 구성된 3D NAND 구조로의 전환을 위해 2025년까지 1,200대 이상의 새로운 배치형 ALD 퍼니스를 설치할 예정입니다. 생산량은 실로 엄청난 규모로, 대만의 한 공장에서만 매달 180만 장 이상의 웨이퍼를 ALD 공정으로 처리하고 있으며, 이 지역 주요 제조업체들은 4,500명 이상의 ALD 공정 엔지니어를 고용하고 있습니다. 이러한 대규모 생산 시설은 재료 수요를 전례 없이 증가시키고 있으며, 전구체 소비량은 2025년까지 15,000톤을 넘어설 것으로 예상됩니다. 중국 또한 1,000대 이상의 ALD 시스템을 추가 설치하며 생산 지배력을 더욱 공고히 하고 있습니다.

전 세계 원자층 증착(ALD) 시장에서 한국의 압도적인 생산량은 기술적 최첨단을 향한 끊임없는 노력과 맞물려 있습니다. 2024년까지 한국의 DRAM 제조업체들은 4옹스트롬 미만의 정전용량 등가 두께를 달성해야 하는 과제를 안고 있으며, 파운드리들은 매일 50억 개 이상의 GAA 트랜지스터를 생산하고 있습니다. 이러한 까다로운 대량 생산 공정에는 극도의 신뢰성이 요구되며, 장비의 평균 고장 간격(MTBF)은 2,000시간을 초과해야 합니다. 이러한 공정의 복잡성으로 인해 필수적인 보조 기술인 원자층 식각(ALE) 시스템 900대 이상에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 반도체 제조를 넘어, 이러한 기술적 리더십은 다른 분야로도 확장되어, 아시아 태평양 지역의 디스플레이 제조업체들은 ALD 기술을 사용하여 8억 개 이상의 OLED 스크린을 생산하고 있으며, 이는 원자 규모 제조 기술에 대한 아시아 태평양 지역의 탁월한 역량을 보여줍니다.

원자층 증착 시장의 10대 주요 개발 동향

• JSR, 야마나카 후테크(YHC) 인수: 주요 소재 공급업체인 JSR 코퍼레이션은 2024년 8월, CVD 및 ALD용 고순도 화학 전구체 제조업체인 YHC 인수를 완료했습니다. 이번 인수를 통해 JSR은 첨단 반도체 소재 분야에서 포트폴리오를 확장하게 되었습니다.
• 포지 나노, 확장을 위해 4천만 달러 투자 유치: 원자층 증착(ALD) 기술 개발업체인 포지 나노는 2025년 4월, 록크릭(RockCreek)과 어센트 펀드(Ascent Funds)가 공동 주도한 투자 유치 라운드에서 4천만 달러를 확보했습니다. 이번 투자금은 리튬 이온 배터리와 반도체 ALD 장비의 미국 내 생산 규모 확장에 사용될 예정입니다.
• 아디신, 2D 제너레이션 인수 확정: 데이터 솔루션 기업 아디신은 2024년 11월, 그래핀 기반 반도체 솔루션 전문 기업인 이스라엘의 2D 제너레이션을 인수하는 계약을 체결했습니다. 이번 인수를 통해 아디신은 국방, 데이터 센터, 사이버 보안 등 고성장 분야에서 역량을 강화할 계획입니다.
• 아틀란트 3D(Atlant 3D)가 2025년 3월, 시리즈 A+ 투자 라운드에서 1,500만 달러를 유치했습니다. 이번 투자를 통해 마이크로 전자 및 양자 컴퓨팅 부품 제작 도구 개발을 가속화할 계획입니다.
• 핀웨이브 세미컨덕터, 820만 달러 브릿지 펀딩 확보: GaN-on-Si 기술 혁신 기업인 핀웨이브 세미컨덕터는 2025년 5월, 820만 달러 규모의 브릿지 투자를 유치했다고 발표했습니다. 이번 투자를 통해 회사는 ALD(원자층 증착) 기술을 기반으로 하는 제조 공정을 활용하여 5G/6G 통신 및 기타 RF 애플리케이션용 제품 포트폴리오를 확장할 계획입니다.
• 아디신, 그래핀 기술 개발을 위한 ALD 장비 투자: 아디신의 자회사인 2D 제너레이션은 인수 계약 체결 후 차세대 반도체용 독자적인 저온 그래핀 코팅 기술 개발을 위해 특수 ALD 장비 구매에 53만 호주 달러를 대출할 예정이다.
• Impact Nano, Impact Chemistry와 합병: 첨단 소재 공급업체인 Impact Nano는 2025년 2월 GreenCentre Canada의 팀과 시설을 인수하여 Impact Chemistry를 설립했다고 발표했습니다. 이번 합병을 통해 ALD 전구체 및 기타 특수 화학 물질의 제품 개발 및 규모 확장 역량을 강화할 수 있게 되었습니다.
• EU, 반도체 시범 생산 라인에 투자: 유럽연합(EU)은 2025년 초, 반도체법(Chips Act)을 통해 37억 유로를 투자하여 5개의 반도체 시범 생산 라인을 구축할 예정이다. APECS와 같은 프로젝트는 ALD(원자층 증착) 기술을 적극적으로 활용하는 첨단 패키징 및 이종 집적화에 중점을 두어 유럽의 국내 반도체 생산을 강화할 계획이다.
• SparkNano가 2025년 1월에 시작된 TeamNANO 프로젝트의 핵심 파트너로 합류했습니다. EU의 공동 지원을 받아 6년간 900만 유로가 투입되는 이 프로젝트는 마이크로-나노 제조 및 플렉서블 전자 기술 발전을 목표로 하며, 미래 기술에서 공간 ALD의 역할을 강조합니다.
• 텍사스 혁신 기금 지원금, 반도체 생태계 강화: 텍사스 반도체 혁신 기금은 2025년 한 해 동안 실리콘 래버러토리스(2,325만 달러), 도쿄일렉트론(2,325만 달러), 도쿄일렉트론(308만 달러), DSM 세미켐(787만 달러) 등 여러 기업에 수백만 달러 규모의 지원금을 제공했습니다. 이러한 연구 개발 및 제조 시설 투자는 텍사스 주 내 ALD 장비 및 재료 수요를 직접적으로 증가시킬 것입니다.

원자층 증착 시장의 주요 기업

• ASM 인터내셔널
• 어플라이드 머티리얼즈 주식회사.
• CVD 장비 주식회사
• 포지 나노 주식회사.
• 베넥 그룹
• 옥스포드 인스트루먼츠 주식회사.
• 커트 J. 레스커 컴퍼니
• 피코 선 오이
• SENTECH Instruments GmbH
• 아라디언스, LLC
• NCD 주식회사.
• 램 리서치 코퍼레이션
• 비코 인스트루먼츠 주식회사.
• 기타 주요 플레이어

시장 세분화 개요

부산물

• 산화알루미늄
• 금속
• 촉매
• 플라즈마 강화
• 기타

신청을 통해

• 태양열 장치
• 반도체
• 전자제품
• 의료기기
• 기타

지역별

• 북아메리카
  • 미국.
  • 캐나다
  • 멕시코
• 유럽
  • 서유럽
    • 영국
    • 독일
    • 프랑스
    • 이탈리아
    • 스페인
    • 나머지 서유럽
  • 동유럽
    • 폴란드
    • 러시아 제국
    • 헝가리
    • 나머지 동유럽
• 아시아 태평양
  • 중국
  • 인도
  • 일본
  • 대한민국
  • 호주 및 뉴질랜드
  • 아세안
  • 아시아 태평양 지역 나머지 지역
• 중동
  • UAE
  • 사우디아라비아
  • 바레인
  • 쿠웨이트
  • 카타르
  • 중동의 나머지 지역
• 아프리카
  • 오만
  • 이집트
  • 나이지리아
  • 남아프리카공화국
  • 아프리카의 나머지 지역
• 남아메리카
  • 아르헨티나
  • 브라질
  • 남미의 나머지 지역