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Markt für Galliumarsenid-Wafer (GaAs) im asiatisch-pazifischen Raum: Nach Typ (halbleitendes Galliumarsenid (SC GaAs) und halbisolierendes Galliumarsenid (SI GaAs)); Herstellungsverfahren (Vertical Gradient Freeze (VGF), Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), Molekularstrahlepitaxie (MBE), metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) und andere); Anwendung (Computer und Mobilgeräte, Photovoltaikzellen, optoelektronische Kommunikation, Laserdioden und Infrarotemission, Solarzellen, Transistoren und andere); Branche (Automobilindustrie, Industrie, Elektronik, Internet der Dinge, Luft- und Raumfahrt, Kommunikationsausrüstung und andere); Region – Marktprognose und -analyse für 2024–2032

  • Letzte Aktualisierung: 06. Mai 2024 |  
    Format: PDF
     | Bericht-ID: AA0823553  

BERICHTSUMFANG

BerichtattributeDetails
Marktgröße im Jahr 2023661,5 Millionen US-Dollar
Erwartete Einnahmen im Jahr 20322.635,2 Millionen US-Dollar
Historische Daten2019-2022
Basisjahr2023
Prognosezeitraum2024-2032
EinheitWert (Mio. USD)
CAGR16.6%
Abgedeckte SegmenteNach Typ, nach Herstellungsverfahren, nach Anwendung, nach Branche, nach Region
Wichtige Unternehmen                                                                                          Advanced Wireless Semiconductor Co., AXT Inc., Century Epitech Co Ltd., China Crystal Technologies, Freiberger Compound Materials GmbH, Global Communication Semiconductors, LLC, Holtek Semiconductor Inc., Intelligent Epitaxy Technology, Inc., Ommic SA, Powerway Advanced Material Co., Ltd., STMicroelectronics, Taiwan Semiconductor Co. Ltd., Tianjin Jingming Electronic Materials, WIN Semiconductors Corporation, Weitere bedeutende Akteure
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