Par type (arséniure de gallium semi-conducteur (SC GaAs) et arséniure de gallium semi-isolant (SI GaAs)) ; méthode de production (cristallisation en gradient vertical (VGF), Czochralski en phase liquide (LEC), épitaxie par jets moléculaires (MBE), épitaxie en phase vapeur organométallique (MOVPE) et autres) ; application (ordinateurs et appareils mobiles, cellules photovoltaïques, communications optoélectroniques, diodes laser et émission infrarouge, cellules solaires, transistors et autres) ; secteur d’activité (automobile, industrie, électronique, Internet des objets, aérospatiale et défense, équipements de communication et autres) ; région — Prévisions et analyse du marché pour 2024-2032

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