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Samsung Electronics annonce un redressement spectaculaire de son activité semi-conducteurs. La demande, alimentée par l'IA, fait grimper en flèche les prix de la mémoire, tandis que son usine de mémoire P4 de pointe à Pyeongtaek, bientôt achevée, permettra d'accroître la production de puces DRAM et HBM4 gravées en nœud 1c. Cette forte hausse des bénéfices liés à la mémoire redessine le profil des résultats de Samsung et conforte son pari stratégique sur l'intelligence artificielle et le développement des centres de données à l'échelle mondiale.

Selon Astute Analytica, le marché des équipements de fabrication de semi-conducteurs était évalué à 93,03 milliards de dollars américains en 2024 et devrait atteindre une valeur de 224,44 milliards de dollars américains d'ici 2033, avec un TCAC de 10,28 % au cours de la période de prévision 2025-2033.

Un bond record des bénéfices ancré dans la mémoire

Samsung estime que son bénéfice d'exploitation du premier trimestre 2026 atteindra environ 57,2 billions de wons (environ 38 milliards de dollars), soit plus de huit fois plus qu'au même trimestre de 2025. Cette hausse record est principalement due à sa division semi-conducteurs, les puces mémoire — en particulier la DRAM et la NAND— représentant la part du lion de cette croissance.

Les analystes notent que la branche semi-conducteurs est désormais le principal moteur de profit du conglomérat, les ventes de mémoire non seulement se remettant du ralentissement post-pandémique, mais atteignant de nouveaux sommets à mesure que les clients axés sur l'IA concluent des accords d'approvisionnement à long terme.

La demande alimentée par l'IA tend le marché de la mémoire

Les prix des puces mémoire ont fortement augmenté depuis 2025, les aux centres de donnéesenregistrant des hausses de prix estimées entre 50 et 100 % au cours du cycle. Cette augmentation est liée à une évolution structurelle de la demande : les hyperscalers et les fabricants de puces pour l’IA déploient des infrastructures de centres de données massives pour prendre en charge les modèles d’IA générative, les fermes d’entraînement pour l’apprentissage automatique et les charges de travail de calcul haute performance.

Dans ce contexte, les mémoires à large bande passante (HBM3E et HBM4) ainsi que les mémoires DRAM et NAND optimisées pour l'IA de Samsung sont devenues particulièrement précieuses. La pénurie de ces produits de mémoire spécialisés a conféré à Samsung un fort pouvoir de fixation des prix, lui permettant d'optimiser la production de ses usines tout en maintenant des marges confortables.

Extension de l'usine P4 et de la mémoire DRAM à nœud 1c

Au cœur de la stratégie de Samsung se trouve l'usine de mémoire P4 de son campus de Pyeongtaek, en cours de conversion en un pôle de mémoire de nouvelle génération. Initialement axée sur la DRAM à nœud 1c (inférieure à 11 nm, 6e génération de classe 10 nm), la ligne s'orientera ensuite vers les empilements HBM4 construits sur des puces DRAM à nœud 1c, ciblant directement le marché des accélérateurs d'IA.

L'entreprise ambitionne d'augmenter sa capacité de production de DRAM à nœud 1c à environ 200 000 plaquettes par mois d'ici fin 2026, la puce P4 jouant un rôle central dans cette expansion. Si cet objectif est atteint, la mémoire à nœud 1c représenterait environ un tiers de la production totale de DRAM de Samsung, une augmentation significative par rapport à sa part précédente et un signe clair de l'engagement à long terme de Samsung envers les technologies de mémoire de pointe.

Rôle stratégique dans les chaînes d'approvisionnement des puces d'IA

Les puces HBM4 de Samsung sont conçues pour répondre aux besoins des principaux fournisseurs d'accélérateurs d'IA, notamment Nvidia, AMD et d'autres de GPU et de puces d'IA . En intégrant sa mémoire DRAM gravée en 1c dans des architectures à large bande passante alimentant ces accélérateurs, Samsung s'impose comme un fournisseur incontournable de la chaîne d'approvisionnement des puces d'IA.

Ce positionnement est crucial car la mémoire HBM permet aux puces d'IA d'accéder à la mémoire avec une bande passante bien supérieure et une latence inférieure à celle de la DRAM conventionnelle, ce qui influe directement sur les performances des grands modèles de langage et autres charges de travail d'IA. Par conséquent, la capacité de Samsung à augmenter sa production de HBM4 au rythme du cycle de vie 4 (P4) est considérée comme un atout stratégique majeur face à des concurrents tels que SK hynix et Micron.

Impact sur le marché et les finances

La forte hausse des profits liés à la mémoire a amélioré la marge opérationnelle globale de Samsung et a modifié le sentiment des investisseurs. Le cours de l'action a fortement progressé suite aux prévisions de bénéfices pour le premier trimestre, les marchés réagissant positivement à la combinaison d'une politique de prix avantageuse grâce à l'IA et de capacités supplémentaires provenant des usines P4 et autres usines de pointe.

Les analystes d'Astute Analytica prévoient que Samsung restera fortement dépendant des ventes de mémoire liées à l'IA jusqu'en 2026-2027. Le pari de l'entreprise sur la DRAM à nœud 1c et la HBM4, combiné à son leadership en matière de prix sur un marché tendu, est largement considéré comme une décision structurelle plutôt qu'une stratégie conjoncturelle à court terme.